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PSMN010-80YLX

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN010-80YLX
    PSMN010-80YLX

    PSMN010-80YLX

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • LFPAK56-5

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • PSMN010-80YLX
    PSMN010-80YLX

    PSMN010-80YLX

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367100

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • PSMN010-80YLX
    PSMN010-80YLX

    PSMN010-80YLX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN010-80YLX
    PSMN010-80YLX

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 367100

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN010-80YLX
    PSMN010-80YLX

    PSMN010-80YLX

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 場效應管

  • PSMN010-80YLX
    PSMN010-80YLX

    PSMN010-80YLX

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 367100

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN010-80YLX
    PSMN010-80YLX

    PSMN010-80YLX

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
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  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
PSMN010-80YLX PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V LFPAK56
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 80V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 84A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 44.2nC @ 5V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 6506pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 194W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 10 毫歐 @ 25A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • LFPAK56,Power-SO8
  • 封裝/外殼
  • SC-100,SOT-669
  • 標準包裝
  • 1
PSMN010-80YLX 技術參數
  • PSMN010-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):39A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.6 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):678pF @ 12V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標準包裝:1 PSMN009-100P,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):156nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8250pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.8 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN009-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):156nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8250pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.8 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN008-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):122.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5260pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN005-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8250pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN012-80BS,118 PSMN012-80PS,127 PSMN013-100BS,118 PSMN013-100ES,127 PSMN013-100PS,127 PSMN013-100XS,127 PSMN013-100YSEX PSMN013-30LL,115 PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30YLC,115 PSMN013-60YLX PSMN013-80YS,115 PSMN014-40YS,115 PSMN014-60LS,115 PSMN014-80YLX PSMN015-100B,118 PSMN015-100P,127 PSMN015-100YLX
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