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PSMN011-60MSX
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PSMN011-60MSX
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深圳市芯脈實業有限公司
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NXP
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PSMN011-60MSX
深圳市海天鴻電子科技有限公司
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深圳市億聯芯電子科技有限公司
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PSMN011-60MSX
深圳市德力誠信科技有限公司
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北京耐芯威科技有限公司
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PSMN011-60MSX
深圳市毅創輝電子科技有限公司
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天陽誠業科貿有限公司
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北京京北通宇電子元件有限公司
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深圳市華芯盛世科技有限公司
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PSMN011-60MSX
科創特電子（香港）有限公司
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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PSMN011-60MS/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 60V LFPAK33

PSMN011-60MSX 技術參數

PSMN011-60MLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:61A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:37.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2191pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:91W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.3 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標準包裝:1 PSMN011-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:37A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:641pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:29W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.6 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN011-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:51A（Tj）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:726pF @ 15V 功率 - 最大值:49W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PSMN010-80YLX 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:84A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:44.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6506pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:194W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN010-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.6 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:678pF @ 12V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PSMN013-100PS,127 PSMN013-100XS,127 PSMN013-100YSEX PSMN013-30LL,115 PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30YLC,115 PSMN013-60YLX PSMN013-80YS,115 PSMN014-40YS,115 PSMN014-60LS,115 PSMN014-80YLX PSMN015-100B,118 PSMN015-100P,127 PSMN015-100YLX PSMN015-110P,127 PSMN015-60BS,118 PSMN015-60PS,127 PSMN016-100BS,118

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