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參數資料
| 型號： | Q2006LTV |
| 英文描述： | RF inductor, ceramic core, 2% tol, SMT, RoHS |
| 中文描述： | 可控硅| 200伏五（DRM）的| 6A條口（T）的有效值| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 536K |
| 代理商： | Q2006LTV |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q2008LTV | TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220AB |
| Q2010LTV | TRIAC|200V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-220AB |
| Q4008LTV | TRIAC|400V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220AB |
| Q4010LTV | TRIAC|400V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-220AB |
| Q4015LTV | TRIAC|400V V(DRM)|15A I(T)RMS|TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q2006N4 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Triacs (0.8 A to 35 A) |
| Q2006N4RP | 功能描述:雙向可控硅 200V 6A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q2006N4TP | 功能描述:雙向可控硅 200V 6A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q2006NH4 | 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:Alternistor Triacs |
| Q2006NH4RP | 功能描述:雙向可控硅 200V 6A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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