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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62702-A1239 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | CAP CER 680PF 250VAC X1Y2 RAD |
| 中文描述： | 硅開(kāi)關(guān)二極管的初步數(shù)據(jù)（對(duì)于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/11頁(yè) |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-A1239 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-A1241 | INVERTER 12V-INPUT 1500V-OUTPUT |
| Q62702-A1243 | INVERTER 12V-INPUT 1250V-OUTPUT |
| Q62702-A1244 | PNP Silicon High-Voltage Transistor |
| Q62702-A1268 | Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signal Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) |
| Q62702-A66 | Silicon Dual Schottky Diode (DBS mixer application to 12 GHz Low noise figure Low barrier type) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702-A1241 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching applications Internal (galvanic) isolated Diodes in one package) |
| Q62702-A1243 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon High-Voltage Transistor |
| Q62702-A1244 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon High-Voltage Transistor |
| Q62702-A1253 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching applications Common anode) |
| Q62702-A1261 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signal Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) |
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