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參數資料
| 型號： | Q62703-F107 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization) |
| 中文描述： | 砷化鎵場效應管（低噪聲高增益對于前端放大器離子注入平面結構全部鍍金） |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | Q62703-F107 |
Semiconductor Group
7
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Dominantwellenlnge
λ
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Wellenlnge der Stahlung
λ
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 15 mA
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