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參數(shù)資料
| 型號： | Q67060-S6307-A5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Static Shift Registers 16-SOIC -55 to 125 |
| 中文描述： | 智能感知高端功率開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 10/15頁 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | Q67060-S6307-A5 |
BTS 640 S2
Semiconductor Group
Page 10
2003-Oct-01
V
bb
disconnect with charged external
inductive load
PROFET
V
ST
IS
OUT
GND
bb
6
2
4
3
5
IN
OUT
1
7
Vbb
high
D
R
L
L
If other external inductive loads L are connected to the PROFET,
additional elements like D are necessary.
Inductive Load switch-off energy
dissipation
E
bb
PROFET
IN
ST
OUT
GND
2
Vbb
=
E
E
EAS
L
R
ELoad
IS
1
5
3
4
6
7
OUT
Vbb
Energy stored in load inductance:
E
L
=
1/2
·
L
·
I
2
L
While demagnetizing load inductance, the energy
dissipated in PROFET is
E
AS
= E
bb
+ E
L
- E
R
=
V
ON(CL)
·
i
L
(t) dt,
with an approximate solution for R
L
>
0
:
E
AS
= I
L
·
L
2
·
R
L
·
(
V
bb
+
|V
OUT(CL)
|)
·
ln
(1+
I
L
·
R
L
|V
OUT(CL)
| )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67060-S6307-A6 | High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Static Shift Registers 16-SOIC -55 to 125 |
| Q67060-S6307-A7 | High Speed CMOS Logic Quad Bilateral Switches 14-PDIP -55 to 125 |
| Q67060-S6500-A2 | TRANSISTOR HITFET |
| Q67060-S6501-A2 | TRANSISTOR HITFET |
| Q67060-S7003-A2 | TRANSISTOR SMD PROFET LESITUNGS MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67060-S6307-A6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Sense High-Side Power Switch |
| Q67060-S6307-A7 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Sense High-Side Power Switch |
| Q67060-S6309 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Highside High Current Power Switch |
| Q67060-S6310 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Highside High Current Power Switch |
| Q67060-S6500-A2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HITFET |
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