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參數(shù)資料
| 型號： | Q67060-S7007A2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR SMD PROFET LESITUNGS MOSFET |
| 中文描述： | 晶體管貼片MOSFET的普羅費LESITUNGS |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | Q67060-S7007A2 |
13.07.1998
Semiconductor Group
Page 5
BTS 117
Block Diagramm
Terms
Inductive and overvoltage output clamp
HITFET
IN
D
VIN
ID
VDS
1
IIN
S
Vbb
RL
2
3
HITFET
VZ
D
S
Short circuit behaviour
VIN
ID
ID(SCp)
t 0
tm
t 2
ID(Lim)
t 1
Input circuit (ESD protection)
IN
ESD-ZD
I
Source
ESD zener diodes are not designed
for DC current > 2 mA @ V
IN
>10V.
t0: Turn on into a short circuit
tm: Measurementpoint for ID(lim)
t1: Activation of the fast temperature sensor and
regulation of the drain current to a level wher
the junction temperature remains constant.
t2: Thermal shutdown caused by the second
temperature sensor, achieved by an
integrating measurement.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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