- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361235 > Q67100-Q608 (SIEMENS AG) 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q608 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256畝× 4位動態(tài)隨機存儲器的低功耗256畝× 4位動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 17/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q608 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當(dāng)前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
17
12.99
AC Characteristics
1, 2
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symb.
Limit Values
Unit
Note
-7.5
-8
min.
max.
min.
max.
Clock and Clock Enable
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
7.5
10
–
–
8
10
–
–
ns
ns
–
Clock Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
133
100
–
–
–
–
125
100
MHz
MHz
–
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
–
5.4
6
–
–
6
6
ns
ns
2, 3
Clock High Pulse Width
t
CH
t
CL
t
T
2.5
–
3
–
ns
–
Clock Low Pulse Width
2.5
–
3
–
ns
–
Transition Time
0.3
1.2
0.5
10
ns
–
Setup and Hold Times
Input Setup Time
t
IS
t
IH
t
CKS
t
CKH
t
RSC
t
SB
1.5
–
2
–
ns
4
Input Hold Time
0.8
–
1
–
ns
4
CKE Setup Time
1.5
–
2
–
ns
4
CKE Hold Time
0.8
–
1
–
ns
4
Mode Register Set-up Time
2
–
2
–
CLK
–
Power Down Mode Entry Time
0
7
0
8
ns
–
Common Parameters
Row to Column Delay Time
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
20
–
20
–
ns
5
Row Precharge Time
20
–
20
–
ns
5
Row Active Time
45
100k
48
100k
ns
5
Row Cycle Time
67
–
70
–
ns
5
Activate(a) to Activate(b) Command
Period
14
–
16
–
ns
5
CAS(a) to CAS(b) Command Period
t
CCD
1
–
1
–
CLK
–
Refresh Cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q651 | 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
| Q67100-Q727 | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q741 | 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
| Q67100-Q749 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-H3500 | 16 Kbit 2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q651 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
| Q67100-Q727 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q741 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
| Q67100-Q749 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q750 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。