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STGB30V60DF

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

STGB30V60DF
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-263
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STGB30V60DF
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

STGB30V60DF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

STGB30V60DF
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4925
STMICROEL
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

STGB30V60DF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

1/1頁 40條/頁共20條
1

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制造商
STMicroelectronics
功能描述

STGB30V60DF 技術(shù)參數(shù)

STGB30NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 60A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:200W 開關(guān)能量:305μJ（開），181μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:102nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:29.5ns/118ns 測試條件:390V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB30NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 60A 185W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):125A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，20A 功率 - 最大值:185W 開關(guān)能量:350μJ（開），435μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:96nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:29ns/120ns 測試條件:480V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STGB30M65DF2 功能描述:IGBT 650V 30A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:258W 開關(guān)能量:300μJ（開），960μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:80nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:31.6ns/115ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:140ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB30H60DLFB 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:393μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:149nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:-/146ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB30H60DFB 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關(guān)能量:383μJ（開），293μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:149nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:37ns/146ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF STGB6M65DF2 STGB6NC60HD-1 STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4 STGB7NB60HDT4 STGB7NB60KDT4 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD