久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

<ul id="yw6ag"></ul>

<ul id="yw6ag"></ul>

<fieldset id="yw6ag"></fieldset>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > S字母型號搜索 > S字母第6067頁 >

STGB19NC60HDT4

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2/2頁 40條/頁共43條
上一頁 1 2

您是不是要找： STGB19NC60KDT4 STGB19NC60KT4 STGB19NC60WT4 STGB20H60DF STGB20M65DF2 STGB20N40LZ STGB20N45LZAG STGB20NB32LZ STGB20NB37LZ

STGB19NC60HDT4 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STGB19NC60HDT4 PDF下載

功能描述
IGBT 晶體管 N Ch 600V 19A
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB19NC60HDT4 技術參數

STGB18N40LZT4 功能描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:420V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:150W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:29nc 25°C 時 Td（開/關）值:650ns/13.5μs 測試條件:300V，10A，5V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:136W 開關能量:90μJ（開），450μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:45nC 25°C 時 Td（開/關）值:24ns/93ns 測試條件:400V，15A，12 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:142ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB15H60DF 功能描述:IGBT 600V 30A 115W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:115W 開關能量:136μJ（開），207μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:81nC 25°C 時 Td（開/關）值:24.5ns/118ns 測試條件:400V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:103ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB14NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 開關能量:82μJ（開），155μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:34.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:22.5ns/116ns 測試條件:390V，7A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB14NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 開關能量:82μJ（開），155μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:34.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:22.5ns/116ns 測試條件:390V，7A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:37ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD