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STL-8-600-20-01

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說明
操作

STL-8-600-20-01
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
706694
Essentra Components
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STL-8-600-20-01
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Essentra Components
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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1

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功能描述
TWIST LOK STANDOFF 3/4 X 1.28"
RoHS
是
類別
線纜，導線 - 管理 >> 線夾和夾具
系列
-
標準包裝
100
系列
TC
類型
C-夾
開口尺寸
0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm）
安裝類型
釘子
材質
聚丙烯
顏色
黑

STL-8-600-20-01 技術參數

STL85N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3400pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL80N75F6 功能描述:MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7120pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL80N4LLF3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2530pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL80N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:68W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-PowerFLAT? 供應商器件封裝:14-PowerFLAT?（5x5）標準包裝:1 STL8DN6LF3 STL8DN6LF6AG STL8N10F7 STL8N10LF3 STL8N65M2 STL8N65M5 STL8N6F7 STL8N6LF3 STL8N6LF6AG STL8N80K5 STL8NH3LL STL8P2UH7 STL8P4LLF6 STL90N10F7 STL90N3LLH6 STL90N6F7 STL92N10F7AG STL9N3LLH5