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1N6623US

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 800V 1A 2PIN D-5A - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 880V 1A 2-Pin A-MELF
制造商
Microwave Semiconductor
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE RECT ULT FAST REC A-MELF

1N6623US 技術參數

1N6623 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 880V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6622US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 660V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6622 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N6621US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.6V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N6621US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 電流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6628 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636