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深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7500
TI
原廠原裝
1645+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

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北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Texas Instruments
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

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深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
320346
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con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
320346
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

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無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
TO-220
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

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天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
320346
TI
con
24+
-

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
320346
TI
con
24+
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深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
TI
TO-220-
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應

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深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TI
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
320346
TI
con
24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

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深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
17500
TI
TO220
22+
-
原裝正品現(xiàn)貨，支持BOM配單！

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深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15
專營TI
TO220
假一賠十！
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原裝自己現(xiàn)貨！！

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深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號富源商貿(mào)中心D棟601
900
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ORIGONAL
16+
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0.60062 USD,szpoweri...

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制造商
Texas Instruments
功能描述
制造商
Texas Instruments
功能描述
ADDING N TO DEVICE NAME FOR 3V GATE - Rail/Tube

CSD18537NKCS 技術(shù)參數(shù)

CSD18536KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta），349A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11430pF @ 30V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD18536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11430pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD18536KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:108nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11430pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 CSD18535KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta），279A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6620pF @ 30V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD18535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6620pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19531Q5AT CSD19532KTT