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參數資料
| 型號： | IRF-10.1UH+/-20% |
| 廠商： | VISHAY DALE |
| 元件分類： | 通用定值電感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 0.1 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 封裝： | AXIAL LEADED |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 122K |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF-1180UH+/-10% | 1 ELEMENT, 180 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| IRF-182UH+/-10% | 1 ELEMENT, 82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| IRF-30.82UH+/-20% | 1 ELEMENT, 0.82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| IRF-240.39UH+/-10% | 1 ELEMENT, 0.39 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| IRF-24120UH+/-5% | 1 ELEMENT, 120 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF103IPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Adavanced Process Technology |
| IRF10N40 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF1104 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| IRF1104HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF1104L | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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