- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371076 > MC908QL2C (Motorola, Inc.) Microcontrollers PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MC908QL2C |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Microcontrollers |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁數： | 35/222頁 |
| 文件大小： | 2861K |
| 代理商： | MC908QL2C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁當前第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁
FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QL4 MC68HC908QL3 MC68HC908QL2 Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
35
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked with the ERASE
bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
Bit 7
6
5
4
3
2
1
Bit 0
Read:
0
0
0
0
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
0
0
0
0
0
0
0
0
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908QL2DT | Microcontrollers |
| MC908QL2DW | Microcontrollers |
| MC908QL2M | Microcontrollers |
| MC908QL2V | Microcontrollers |
| MC908QL4DT | Microcontrollers |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC908QL2DT | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC908QL2DW | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC908QL2M | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC908QL2V | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC908QL3C | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。