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參數資料
| 型號： | MC908QL4DW |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Microcontrollers |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁數： | 34/222頁 |
| 文件大小： | 2861K |
| 代理商： | MC908QL4DW |
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Memory
MC68HC908QL4 MC68HC908QL3 MC68HC908QL2 Data Sheet, Rev. 4
34
Freescale Semiconductor
2.5 Random-Access Memory (RAM)
This MCU includes static RAM. The locations in RAM below $0100 can be accessed using the more
efficient direct addressing mode, and any single bit in this area can be accessed with the bit manipulation
instructions (BCLR, BSET, BRCLR, and BRSET). Locating the most frequently accessed program
variables in this area of RAM is preferred.
The RAM retains data when the MCU is in low-power wait or stop mode. At power-on, the contents of
RAM are uninitialized. RAM data is unaffected by any reset provided that the supply voltage does not drop
below the minimum value for RAM retention.
For compatibility with older M68HC05 MCUs, the HC08 resets the stack pointer to $00FF. In the devices
that have RAM above $00FF, it is usually best to reinitialize the stack pointer to the top of the RAM so the
direct page RAM can be used for frequently accessed RAM variables and bit-addressable program
variables.
Include the following 2-instruction sequence in your reset initialization routine (where RamLast is equated
to the highest address of the RAM).
LDHX #RamLast+1 ;point one past RAM
TXS ;SP<-(H:X-1)
2.6 FLASH Memory (FLASH)
The FLASH memory is intended primarily for program storage. In-circuit programming allows the
operating program to be loaded into the FLASH memory after final assembly of the application product.
It is possible to program the entire array through the single-wire monitor mode interface. Because no
special voltages are needed for FLASH erase and programming operations, in-application programming
is also possible through other software-controlled communication paths.
This subsection describes the operation of the embedded FLASH memory. The FLASH memory can be
read, programmed, and erased from the internal V
DD
supply. The program and erase operations are
enabled through the use of an internal charge pump.
The minimum size of FLASH memory that can be erased is 64 bytes; and the maximum size of FLASH
memory that can be programmed in a program cycle is 32 bytes (a row). Program and erase operations
are facilitated through control bits in the FLASH control register (FLCR). Details for these operations
appear later in this section.
NOTE
An erased bit reads as a 1 and a programmed bit reads as a 0. A security
feature prevents viewing of the FLASH contents.
(1)
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult
for unauthorized users.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908QL4M | Microcontrollers |
| MC908QL4V | Microcontrollers |
| MC912DG128x | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| MC68HC912DG128A | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
| MC912DG128A | microcontroller unit 16BIT DEVICE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC908QL4M | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC908QL4MDT | 功能描述:IC MCU 8BIT 4K FLASH 16-TSSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC908QL4MDTE | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON LINE EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC908QL4MDTE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Microcontroller |
| MC908QL4MDTER | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON LINE EPP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
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