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參數資料
| 型號： | MG600Q1US41 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | N通道IGBT的（大功率開關，馬達控制應用） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | MG600Q1US41 |
MG600Q1US61
2002-10-04
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US61
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed: t
f
= 0.3 μs (max)
Inductive load
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 2.6 V (max)
The electrodes are isolated from case.
Enhancement-mode
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Gate-emitter voltage
V
GES
20
V
Collector current
DC (Tc 80°C)
I
C
600
A
Forward current
DC (Tc 80°C)
I
F
600
A
Collector power dissipation
(Tc 25°C)
P
C
5400
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40 to 125
°C
Isolation voltage
V
isol
2500
(AC 1 minute)
Vrms
Terminal
3
N·m
Screw torque
Mounting
3
N·m
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F1A
Weight: 465 g (typ.)
G
E
E
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG600Q2YS60A | HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
| MG600 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG600J1US51 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG75J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG75J6ES50 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MG600Q1US51 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG600Q1US59A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
| MG600Q1US61 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG600Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| MG601 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:GUIDE PIN,ALL PKON SERIES |
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