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參數(shù)資料
| 型號： | MGF4916 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | CONTACT |
| 中文描述： | 超低噪聲銦鎵砷遷移率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 19K |
| 代理商： | MGF4916 |
MGF491xG Series
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT
Nov. ′97
I
D
vs. V
DS
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
0
2
5
10
20
30
50
40
0
T
a
=25C
V
GS
=-0.1V/STEP
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25C)
NF & Gs vs. I
D
(MGF4919G)
DRAIN CURRENT I
D
(mA)
0
10
0.4
0.3
0.8
0.7
15
20
0.5
0.6
25
5
T
a
=25C
V
DS
=2V
f=12GHz
I
D
vs. V
GS
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
-1.0
-0.5
0
10
20
30
50
40
0
T
a
=25C
V
DS
=2V
1
3
4
60
V
GS
=0V
0.9
16
14
12
10
8
G
S
NF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF4951 | SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
| MGF7124A | 1.9GHz BAND AMPLIFIER MMIC |
| MGF7168C | UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER |
| MGF7169C | UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER |
| MGF7170AC | UHF BAND GaAs POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGF4916D | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
| MGF4916G | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
| MGF4917D | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
| MGF49180 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
| MGF4918E | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
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