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參數資料
| 型號： | MGS05N60D |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 中文描述： | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-226AE |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | MGS05N60D |
3
Motorola Power Products Division Technical Data
Figure 1. Saturation Characteristics
Figure 2. Saturation Characteristics
Figure 3. Saturation Characteristics
Figure 4. Collector–To–Emitter Saturation
Voltage versus Case Temperature
Figure 5. Diode Forward Voltage
Figure 6. Diode Forward Voltage versus Case
Temperature
1.0
VCE, COLLECTOR–TO–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.5
2.0
1.5
1.0
VCE, COLLECTOR–TO–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
6.0
0
1.5
0.5
0
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
0
–25
2.0
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
25
0.5
1.5
0
IF, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
22
12
7.0
2.0
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
50
125
10
8.0
6.0
2.0
0
100
1.0
I
V
0.5
0
2.0
3.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
1.0
2.0
2.5
50
75
100
125
150
,
V
2.0
17
25
75
150
4.0
V
4.0
I
1.0
VCE, COLLECTOR–TO–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.5
2.0
1.5
1.0
I
0.5
0
2.0
3.0
4.0
1.9
TC = 25
°
C
VGE = 15 V
12.5 V
10 V
8.0 V
TC = 150
°
C
VGE = 15 V
12.5 V
10 V
8.0 V
TC = –20
°
C
VGE = 15 V
12.5 V
10 V
8.0 V
IC = 700 m
VG = 15 V
IC = 500 mA
IC = 300 mA
TC = 150
°
C
–20
°
C
25
°
C
IC = 500 m
IC = 300 mA
IC = 100 mA
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