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參數(shù)資料
| 型號： | MGS13002D |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 中文描述： | 0.5 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-226AE |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | MGS13002D |
5
Motorola Power Products Division Technical Data
t, TIME (ms)
r
R
1.0
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 25
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 12. Typical Thermal Response
(RJC(t))
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGS13002D | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| MGSF1N02LT1 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |
| MGSF1N02LT1 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts |
| MGSF1N02LT3 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts |
| MGSF1N02EL | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGS13002DD | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| MGS151205 | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Power Supply;DC-DC;5V@3A;9-18V In;Encapsulated;Thru Hole;Switching;MG Series 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:MG Series 15 W Single Output 5 V Isolated DC/DC Power Supply 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Module DC-DC 1-OUT 5V 3A 15W 6-Pin |
| MGS151205-G | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Module DC-DC 1-OUT 5V 3A 15W 6-Pin |
| MGS151205-R | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Module DC-DC 1-OUT 5V 3A 15W 6-Pin |
| MGS151212 | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Power Supply;DC-DC;12V@1.3A;9-18V In;Encapsulated;Thru Hole;Switching;MG Series 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:MG Series 15.6 W Single Output 12 V Isolated DC/DC Power Supply 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Module DC-DC 1-OUT 12V 1.3A 15.6W 6-Pin |
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