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參數資料
| 型號： | MMBT2369ALT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Switching Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 開關晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | MMBT2369ALT1 |
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
h
V
C
°
200
100
20
50
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. Minimum Current Gain Characteristics
VCE = 1 V
TJ = 125
°
C
75
°
C
25
°
C
–15
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C and 75
°
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
2
5
10
20
50
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Saturation Voltage Limits
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Typical Temperature Coefficients
β
F = 10
TJ = 25
°
C
MAX VBE(sat)
MIN VBE(sat)
MAX VCE(sat)
(25
°
C to 125
°
C)
(–55
°
C to +25
°
C)
(–55
°
C to +25
°
C)
(25
°
C to 125
°
C)
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE(sat)
–55
°
C to +25
°
C
±
0.15 mV/
°
C
±
0.4 mV/
°
C
25
°
C to 125
°
C
±
0.15 mV/
°
C
±
0.3 mV/
°
C
θ
VC
θ
VB
APPROXIMATE DEVIATION
FROM NOMINAL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2484LT1 | Low Noise Transistor |
| MMBT2484 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBT2484LT1 | Low Noise Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT2907AWT1 | General Purpose Transistor |
| MMBT2907 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2369ALT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369ALT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369ALT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369-G | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
| MMBT2369L | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors |
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