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參數資料
| 型號： | MMBT5088LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Low Noise Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 低噪聲晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數： | 2/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT5088LT1 |
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
IC
IB
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(mA)
(V)
(V)
(mA)
(mA)
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
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MMBT4403
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MMBT5087
MMBT5088
MMBT5089
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MMBT5551
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100
5
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NPN
30
30
300
225
20K
-
100
5
1.5
100
0.1
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Transistors
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
hFE
VCE(sat)
Max
SOT-23
(P.28)
Min
SOT-323
(P.28)
N+P
N+P
MMDT2227
MMDT3946
N+P
N+P
P.12
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA20LT1 | General Purpose Amplifier |
| MMBTA20 | NPN (GENERAL POUPOSE TRANSISTOR) |
| MMBTA20 | 40 AMP MINI-ISO AUTOMOTIVE RELAY |
| MMBTA20LT1 | General Purpose Amplifier(NPN Silicon) |
| MMBTA20 | 40 AMP MINI-ISO AUTOMOTIVE RELAY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT5088LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 35V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5089 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5089LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5089LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5179 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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