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參數資料
| 型號： | MMBT5550 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| 中文描述： | 迷你型離散半導體元件 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | MMBT5550 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
500
h
F
TJ = 125
°
C
–55
°
C
25
°
C
5.0
10
7.0
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
30
20
300
100
50
VCE = 1.0 V
VCE = 5.0 V
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.9
IC = 1.0 mA
0
0.005
0.3
0.01
0.2
0.5
1.0
2.0
20
50
0.8
0.5
0.4
0.7
0.6
0.2
0.02
0.05
0.1
10
V
0.1
10 mA
30 mA
100 mA
5.0
Figure 3. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
101
10–5
0.4
0.3
0.1
100
10–1
10–2
10–3
10–4
0.2
0
0.1
0.2
0.4
0.3
0.6
0.5
VCE = 30 V
TJ = 125
°
C
75
°
C
25
°
C
IC = ICES
,
I
μ
REVERSE
FORWARD
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0.1
0.2
0.5
Figure 4. “On” Voltages
0.8
0.6
0.4
0.2
0
3.0
30
0.3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5550LT1G | High Voltage Transistors |
| MMBT5550 | NPN General Purpose Amplifier |
| MMBT5550LT1 | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
| MMBT5550 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MMBT5550LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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