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參數資料
| 型號： | MMBT5550LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | MMBT5550LT1 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT5550
MMBT5551
hFE
60
80
60
80
20
30
—
—
250
250
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MMBT5550
MMBT5551
VCE(sat)
—
—
—
0.15
0.25
0.20
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Both Types
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MMBT5550
MMBT5551
VBE(sat)
—
—
—
1.0
1.2
1.0
Vdc
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5550 | High Voltage FET-Input Operational Amplifier 8-SO PowerPAD |
| MMBT5550 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MMBT5550LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23 |
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