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參數資料
| 型號： | MMBT5550LT1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 60 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | MMBT5550LT1G |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
C
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
70
50
1.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
Cibo
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.3
0.7
3.0
7.0
Cobo
10.2 V
Vin
10
μ
s
INPUT PULSE
VBB
–8.8 V
100
RB
5.1 k
100
0.25
μ
F
Vin
1N914
Vout
RC
VCC
30 V
3.0 k
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
Values Shown are for IC @ 10 mA
TJ = 25
°
C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Turn–On Time
1000
0.3
1.0
10
20 30
50
0.5
0.2
t
10
20
30
50
100
200
300
500
2.0
100
200
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
tr @ VCC = 120 V
3.0
5.0
tr @ VCC = 30 V
td @ VEB(off) = 1.0 V
VCC = 120 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
t
50
100
200
300
500
3000
2000
1000
0.3
1.0
10
20 30
50
0.5
0.2
2.0
100
200
3.0 5.0
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
tf @ VCC = 120 V
tf @ VCC = 30 V
ts @ VCC = 120 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 5. Temperature Coefficients
2.5
2.0
VC for VCE(sat)
VB for VBE(sat)
TJ = –55
°
C to +135
°
C
θ
°
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
3.0
30
0.3
Figure 6. Switching Time Test Circuit
Figure 7. Capacitances
Figure 9. Turn–Off Time
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5550 | NPN General Purpose Amplifier |
| MMBT5550LT1 | High Voltage Transistors(NPN Silicon) |
| MMBT5550 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON |
| MMBT6427LT1 | Darlington Transistor |
| MMBT6427-7 | NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT5550LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| MMBT5551 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23 |
| MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
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