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參數資料
| 型號： | MMBT6427-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | MMBT6427-7 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
hFE
10,000
20,000
14,000
100,000
200,000
140,000
—
VCE(sat)(3)
—
—
1.2
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
VBE(sat)
—
2.0
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
1.75
Vdc
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
7.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
15
pF
CurrentGain — High Frequency
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
|hfe|
1.3
—
Vdc
Noise Figure
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 100 k
, f = 1.0 kHz)
NF
—
10
dB
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6427 | 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 125 |
| MMBT6427 | NPN (DARLINGTON TRANSISTOR) |
| MMBT6427 | 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 125 |
| MMBT6427LT1 | Darlington Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT6427 | NPN Darlington Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT6427-7-F | 功能描述:達林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1 | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1G | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT6427LT3 | 功能描述:TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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