- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371123 > MMBT6427 (DIODES INC) 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 125 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBT6427 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 125 |
| 中文描述： | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | MMBT6427 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (
μ
A)
2.0
200 k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25
°
C
C
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|
h
V
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
Cibo
Cobo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100
200
500
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25
°
C
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 5.0 V
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
TJ = 25
°
C
IC = 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
–1.0
V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20
30
50
70 100 200 300
500
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
R
θ
°
TJ = 25
°
C
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
–6.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
200
300
500
25
°
C TO 125
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
*RVC FOR VCE(sat)
VB FOR VBE
25
°
C TO 125
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/3.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6427 | NPN (DARLINGTON TRANSISTOR) |
| MMBT6427 | 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 125 |
| MMBT6427LT1 | Darlington Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT6427 | NPN Darlington Transistor |
| MMBT6520LT1 | High Voltage Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT6427_Q | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427-7 | 功能描述:達林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427-7-F | 功能描述:達林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1 | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1G | 功能描述:達林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。