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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT6520 |
| 廠商： | 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 高壓晶體管（民進(jìn)黨硅） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | MMBT6520 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
h
200
100
20
30
50
70
VCE = 10 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
Figure 2. Current–Gain — Bandwidth Product
Figure 3. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
20
30
50
70
f
T
10
TJ = 25
°
C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
V
1.4
1.2
0
0.6
0.8
1.0
0.4
0.2
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Temperature Coefficients
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
2.5
2.0
R
θ
°
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
R
θ
VC for VCE(sat)
R
θ
VB for VBE
25
°
C to 125
°
C
–55
°
C to 25
°
C
–55
°
C to 125
°
C
IC
IB
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
100
70
50
2.0
3.0
5.0
1.0
C
7.0
10
20
30
TJ = 25
°
C
Ccb
Ceb
Figure 5. Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
t
1.0 k
700
20
10
30
50
70
100
200
300
500
td @ VBE(off) = 2.0 V
tr
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
TJ = 25
°
C
Figure 6. Turn–On Time
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6520LT1 | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| MMBT9018 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBTH10 | High Speed Precision Transimpedance Amplifier 8-MSOP -40 to 125 |
| MMBTH10-7 | NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR |
| MMBT5089 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT6520LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MMBT6520LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6520LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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