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參數資料
| 型號： | MMBT9018 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| 中文描述： | 迷你型離散半導體元件 |
| 文件頁數： | 12/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT9018 |
D
H
H
BOTTOM
VIEW
E
A
B
C
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
4.32
Max
4.83
4.32
4.78
12.50
15.62
0.36
0.56
3.15
3.94
2.29
2.79
1.14
1.40
TO-92
Lead configuration shown is for bulk product packaging only.
See ANSI/EIA-486 for Radial Tape specifications.
A
B
D
E
G
G
C
+
-
+
-
WOG / AM
Dim
A
B
C
D
E
G
Min
8.84
Max
9.86
4.00
4.60
0.81
27.90
25.40
0.71
4.60
5.60
A
A
B
C
D
A
B
C
D
Dim
A-405
DO-35
DO-41
Plastic
DO-41
Glass
DO-15
DO-201
DO-201AD
R-6
T-1
5W
5KP
5KW
Min
25.40
Max
Min
4.10
4.06
5.50
Max
5.20
Min
0.53
0.71
0.686
Max
0.64
Min
2.00
2.00
2.60
Max
2.70
25.40
4.00
0.60
2.00
25.40
5.21
0.864
2.72
25.40
4.70
0.863
2.71
25.40
7.62
0.889
3.60
25.40
8.50
9.53
0.96
1.06
4.80
5.21
25.40
7.20
9.50
1.20
1.30
4.80
5.30
25.40
8.60
9.10
1.20
1.30
8.60
9.10
25.40
2.60
3.20
0.53
0.64
2.20
2.60
25.40
8.38
8.89
0.94
1.09
3.30
3.68
25.40
8.60
0.95
1.07
9.53
25.40
9.00
1.20
1.30
8.00
Axial Devices (Through-Hole)
Millimeters
SOP-8 / TSSOP-8
Min.
A
1.35
/ 1.0
1.75
/ 1.2
A1
0.10
/ 0.1
0.25
/ 0.15
D
4.80
/ 2.9
5.00
/ 3.1
E
3.80
/ 4.3
4.00
/ 4.5
H
5.80
/ 6.2
6.20
/ 6.6
L
0.40
/ -
1.27
/ -
e1
0.33
/ -
0.51
/ -
e2
1.27BSC
/ 0.65BSC
Dim
Max.
H
E
e1
e2
D
A
A1
0.004max.
SOP-8 / TSSOP-8
P.31
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH10 | High Speed Precision Transimpedance Amplifier 8-MSOP -40 to 125 |
| MMBTH10-7 | NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR |
| MMBT5089 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| MMBT6429 | 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125 |
| MMBT4125 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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