- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371124 > MMBTA20 (ON SEMICONDUCTOR) 40 AMP MINI-ISO AUTOMOTIVE RELAY PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBTA20 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | 40 AMP MINI-ISO AUTOMOTIVE RELAY |
| 中文描述： | 通用放大器（NPN硅） |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | MMBTA20 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.004
h
F
TJ = 125
°
C
–55
°
C
25
°
C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
Figure 9. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 10. Collector Characteristics
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
*VC for VCE(sat)
VB for VBE
0.1
0.2
0.5
MPS390
4
Figure 11. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
0.002
V
MPS3904
TJ = 25
°
C
IC = 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 12. Temperature Coefficients
50 mA
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
0
I
TA = 25
°
C
PULSE WIDTH = 300
μ
s
DUTY CYCLE
≤
2.0%
IB = 500
μ
A
400
μ
A
300
μ
A
200
μ
A
100
μ
A
*APPLIES for IC/IB
≤
hFE/2
25
°
C to 125
°
C
–55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 125
°
C
–55
°
C to 25
°
C
40
60
0.006 0.01
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–2.4
0.8
0
–1.6
–0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V
θ
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA20LT1 | General Purpose Amplifier(NPN Silicon) |
| MMBTA20 | 40 AMP MINI-ISO AUTOMOTIVE RELAY |
| MMBTA20LT1 | General Purpose Amplifier (NPN Silicon) |
| MMBTA56LT1 | Driver Transistors |
| MMBTA56 | RP15 (FW) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 5V; 4:1 Wide Input Voltage Range; 15 Watts Regulated Output Power; 1.6kVDC Isolation; Over Current and Over Voltage Protection; Six-Sided Shield; No Derating to 65??C; Standard 2? x 1? Package and Pinning; Efficiency to 86% |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTA20LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA20LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA28 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA28 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SSOT-3 NPN:ROHS COMPLIANT |
| MMBTA28_Q | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。