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參數資料
| 型號： | MMBTA20LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Amplifier(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | MMBTA20LT1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
Figure 3. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
2.0
10
20
50
100
200
500
1 k
2 k
5 k
10 k
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS = 0
IC = 1.0 mA
100
μ
A
e
I
30
μ
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS
≈ ∞
10
μ
A
300
μ
A
IC = 1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
10
μ
A
10
20
50
100
200
500
1 k
2 k
5 k
10 k
NOISE FIGURE CONTOURS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
Figure 5. Narrow Band, 100 Hz
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
500 k
200 k
Figure 6. Narrow Band, 1.0 kHz
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
10
2.0 dB
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
R
Figure 7. Wideband
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
10
10 Hz to 15.7 kHz
R
Noise Figure is defined as:
NF
20 log10
en2
4KTRS
4KTRS
In2RS2
1 2
= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
= Boltzman’s Constant (1.38 x 10–23 j/
°
K)
= Temperature of the Source Resistance (
°
K)
= Source Resistance (Ohms)
en
In
K
T
RS
3.0 dB
4.0 dB
6.0 dB
10 dB
50
100
200
500
1 k
10 k
5 k
20 k
50 k
100 k
2 k
20
30
50 70
100
200 300
500 700
1 k
10
20
30
50 70
100
200 300
500 700
1 k
500 k
100
200
500
1 k
10 k
5 k
20 k
50 k
100 k
200 k
2 k
1 M
500 k
200 k
50
100
200
500
1 k
10 k
5 k
20 k
50 k
100 k
2 k
20
30
50
70
100
200 300
500 700
1 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
8.0 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
8.0 dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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