- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371123 > MMBTH10 (Diodes Inc.) High Speed Precision Transimpedance Amplifier 8-MSOP -40 to 125 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBTH10 |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 元件分類： | 運動控制電子 |
| 英文描述： | High Speed Precision Transimpedance Amplifier 8-MSOP -40 to 125 |
| 中文描述： | npn型表面貼裝甚高頻/超高頻晶體管 |
| 文件頁數： | 13/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBTH10 |
%&'
E
5
'K
0
E
EK
B
E
2
2
*
B
E
*
2
LB
(
(6(
7
C
7
=
7
7
>
E
F
EC
C
46
77C
7E
2
;46
7
7C7
B46
E
C
3
,
7C
E
A
E
TO-220-5
(6(
7
C
9
7
=
7
7
=
>
C7E7
F
EC
C
2
77
3
3+
TO-263-5
P.32
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH10-7 | NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR |
| MMBT5089 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| MMBT6429 | 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125 |
| MMBT4125 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MMBT5088 | NPN (LOW NOISE TRANSISTOR) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTH10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR SOT-23 |
| MMBTH10_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10-4LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10-4LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH10-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。