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參數(shù)資料
| 型號： | Q62702-A1072 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 元件分類： | 開關(guān) |
| 英文描述： | Silicon Schottky Diode (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping) |
| 中文描述： | 硅肖特基二極管（一般為高速開關(guān)電路保護(hù)的目的，電壓鉗位二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-A1072 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-A1084 | Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration Hight shunt signal isolation Low shunt insertion loss) |
| Q62702-A1097 | CAP CER 2200PF 250VAC X1Y2 RAD |
| Q62702-A1103 | CAP CER 2200PF 250VAC X1Y2 RAD |
| Q62702-A1104 | CAP CER 4700PF 250VAC X1Y2 RAD |
| Q62702-A1105 | CAP CER 4700PF 250VAC X1Y2 RAD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702-A1084 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon RF Switching Diode (Design for use in shunt configuration Hight shunt signal isolation Low shunt insertion loss) |
| Q62702-A109 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diode Array (For high speed switching applications Common cathode) |
| Q62702-A1097 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Switching Diode Array (For high speed switching applications Common cathode) |
| Q62702-A1103 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Schottky Diode (DBS mixer application to 12GHz Medium barrier type Low capacitance) |
| Q62702-A1104 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Schottky Diode (DBS mixer applications to 12 GHz Low noise figure Low barrier type) |
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