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PSMN005無鉛-55P

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PSMN005無鉛-55P 技術參數

PSMN005-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8250pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN004-60B,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:168nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSM900JB-47R 功能描述:RES 47 OHM 9W 5% RADIAL 制造商:yageo 系列:PSM 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:47 容差:±5% 功率（W）:9W 成分:繞線特性:抗電弧，耐燃，防潮，安全溫度系數:- 工作溫度:-55°C ~ 350°C 封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:- 大小/尺寸:1.496" 長 x 0.354" 寬（38.00mm x 9.00mm）高度:0.409"（10.40mm）端子數:2 標準包裝:200 PSM900JB-2R 功能描述:RES 2 OHM 9W 5% RADIAL 制造商:yageo 系列:PSM 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:2 容差:±5% 功率（W）:9W 成分:繞線特性:抗電弧，耐燃，防潮，安全溫度系數:- 工作溫度:-55°C ~ 350°C 封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:- 大小/尺寸:1.496" 長 x 0.354" 寬（38.00mm x 9.00mm）高度:0.409"（10.40mm）端子數:2 標準包裝:500 PSM900JB-250R 功能描述:RES 250 OHM 9W 5% RADIAL 制造商:yageo 系列:PSM 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:250 容差:±5% 功率（W）:9W 成分:繞線特性:抗電弧，耐燃，防潮，安全溫度系數:- 工作溫度:-55°C ~ 350°C 封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:- 大小/尺寸:1.496" 長 x 0.354" 寬（38.00mm x 9.00mm）高度:0.409"（10.40mm）端子數:2 標準包裝:500 PSMN011-30YL,115 PSMN011-30YLC,115 PSMN011-60MLX PSMN011-60MSX PSMN011-80YS,115 PSMN012-100YLX PSMN012-100YS,115 PSMN012-25YLC,115 PSMN012-60YS,115 PSMN012-80BS,118 PSMN012-80PS,127 PSMN013-100BS,118 PSMN013-100ES,127 PSMN013-100PS,127 PSMN013-100XS,127 PSMN013-100YSEX PSMN013-30LL,115 PSMN013-30MLC,115