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EPC2038ENGR

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

EPC2038ENGR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2038ENGR
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6890
EPC
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條
1

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EPC2038ENGR PDF下載

功能描述
TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
500mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
2.8 歐姆 @ 50mA，5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 20μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
0.04nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
7pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應(yīng)商器件封裝
模具
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

EPC2038ENGR 技術(shù)參數(shù)

EPC2038 功能描述:TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.044nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8.4pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.3 歐姆 @ 50mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2037ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.12nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12.5pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2037 功能描述:TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.12nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2036ENGRT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2036 功能描述:TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 1A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.91nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:90pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT