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EPC2039ENGRT

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價格
說明
操作

EPC2039ENGRT
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
20000
EPC
帶卷（TR）
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共6條
1

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EPC2039ENGRT PDF下載

功能描述
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6.8A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
22 毫歐 @ 6A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
2nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
210pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
1

EPC2039ENGRT 技術參數

EPC2039 功能描述:TRANS GAN 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:210pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標準包裝:1 EPC2038ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.04nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2038 功能描述:TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.044nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8.4pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.3 歐姆 @ 50mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標準包裝:1 EPC2037ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.12nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12.5pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2037 功能描述:TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.12nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標準包裝:1 EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT