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參數資料
| 型號： | MG600Q1US61 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | MG600Q1US61 |
MG600Q1US61
2002-10-04
7
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Short circuit soa
C
C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10
100
1000
10000
VGE 15 V
tw 10 s
Tj 125°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG600Q1US41 | Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes |
| MG600Q2YS60A | HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
| MG600 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG600J1US51 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG75J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MG600Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| MG601 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:GUIDE PIN,ALL PKON SERIES |
| MG61D | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:SOLID STATE INDICATORS ARE ENCAPSULATED IN RECTANGULAR EPOXY PACKAGE |
| MG6330 | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSAUDIONPN230V15ATO-3P 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,230V,15A,TO-3P 制造商:SEMELAB 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,230V,15A,TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:230V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| MG6330-R | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSAUDIONPN260V15ATO-3P 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P 制造商:SEMELAB 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:260V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
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