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參數資料
| 型號： | MMBT4125 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 進步黨（通用晶體管） |
| 文件頁數： | 2/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT4125 |
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
IC
IB
MHz
(mA)
(V)
(V)
(mA)
(mA)
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NPN
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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SOT-363
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DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
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MMBT3906
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MMBT4125
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MMBT5087
MMBT5088
MMBT5089
MMBT5401
MMBT5550
MMBT5551
MMBT6427
MMBT6429
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-
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5
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NPN
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30
300
225
20K
-
100
5
1.5
100
0.1
125
Transistors
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
hFE
VCE(sat)
Max
SOT-23
(P.28)
Min
SOT-323
(P.28)
N+P
N+P
MMDT2227
MMDT3946
N+P
N+P
P.12
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5088 | NPN (LOW NOISE TRANSISTOR) |
| MMBT8050 | mini size of discrete semiconductor elements |
| MMBT8099 | RP12 (AW) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 48V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; 4:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Regulated Output Power; 1.6kVDC Isolation; Over Current and Over Voltage Protection; Five-Sided Shield; No Derating to 61??C; Standard DIP24 Pinning; Efficiency to 88% |
| MMBTA94 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBT5088 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT4125LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
| MMBT4126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4126-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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