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參數資料
| 型號： | MMBT8050 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DC/DC變換器 |
| 英文描述： | mini size of discrete semiconductor elements |
| 中文描述： | 迷你型離散半導體元件 |
| 文件頁數： | 1/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT8050 |
Mini size of Discrete semiconductor elements
Diode
MOSFET
Regulator
Transistor
(Digital)
Reset IC
Logic IC
EEPROM IC
Film Capacitor
Ceramic Cap.
Package Outline Dimensions
*Other Industrial specification ( -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
PUBLISH DATE : September , 2004 ~ 2005 SECOND EDIT
Switching Regulator / Charger pump
DC-DC converter / PWM IC
Step-up/down (Boost / Buck)
LDO Regulator
Ultra LDO Regulator
SOT-323
SOT-23
TO-252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP-8 / SOP-8
SOT-323 / SOT-363
(Dual N , Dual P , P+N)
SOT-23 / SOT-89
TO-252 / TO-263
TO-92 / TO-220 / TO-3P
Triac / SCR / RF (1GHz ~ )
Digital
SOT-23 / SOT-23-5
SOT-89 / TO-92
SOT-23-5 / SOT-323-5
Standard
Schottky SOD-723 / SOD-523 / SOD-323
TO-252 / TO263
SOT-23-6 / TSSOP-8 / SOP-8
mini-MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
Switching SOT-523 / SOT-323 / SOT-23
Bridge (Single phase / Three phase)
RF ( low capacitance ) & Varactor
Sidac / Thyristor / EMI Filter
TVS / ESD Arrays / Varistor (chip)
Gastube arrester / 5~6 pin arrester
Polymer resetable fuse / Thermal switch &
sensor
Class X1 / X2 Safety license (300Vac)
MPP / MPE / DMP (High current)
Minibox DC film cap. /
X+Y
combint cap.
Lighting film / AC starting film cap.
Class Y1 / Y2 Safety license
High voltage (1KV ~ 6KV)
Chip Capacitors & Multilayer (MLCC)
Tantalum Capacitors
Rectifier
Protection
Device
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
P19
P20
P21
P22
P23
P24
P25
P26
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P27
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P28 ~ P34
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT8099 | RP12 (AW) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 48V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; 4:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Regulated Output Power; 1.6kVDC Isolation; Over Current and Over Voltage Protection; Five-Sided Shield; No Derating to 61??C; Standard DIP24 Pinning; Efficiency to 88% |
| MMBTA94 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBT5088 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| MMBT5089 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| MMBTH10 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT8099LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT8099LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT8099LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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