- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371123 > MMBT8050 (Electronic Theatre Controls, Inc.) mini size of discrete semiconductor elements PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBT8050 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DC/DC變換器 |
| 英文描述： | mini size of discrete semiconductor elements |
| 中文描述： | 迷你型離散半導體元件 |
| 文件頁數： | 11/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT8050 |
TO-263 / D
2
PAK
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
1
2
3
4
PIN 1
PIN 3
PIN 2 & 4
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Min
9.65
Max
10.69
14.60
15.88
0.51
1.14
2.29
2.79
4.37
4.83
1.14
1.40
1.14
1.40
8.25
9.25
0.30
0.64
2.03
2.92
2.29
2.79
A
B
E
G
J
L
M
N
P
K
S
M
H
R
D
C
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
3.20
Max
3.50
4.59
5.16
20.80
21.30
19.70
20.20
2.10
2.40
0.51
0.76
15.90
16.40
1.70
3.10
3.30
3.50
2.70
4.51
5.20
5.70
1.12
1.22
2.90
3.30
11.70
12.80
4.30 Typical
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
J
G
H H
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
B
J
R
Case
-
-
+
Case Positive
Case Negative
TO-220AB
TO-220AC
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
Max
14.22
15.88
9.65
10.67
2.54
3.43
5.84
12.70
6.86
6.35
14.73
2.29
2.79
0.51
3.53
3.56
1.14
4.09
4.83
1.14
1.40
0.30
0.64
2.03
2.92
4.83
5.33
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
P
Min
Max
6.3
6.7
10
0.3
0.8
2.3 Nominal
2.1
2.5
0.4
0.6
1.2
1.6
5.3
5.7
0.5 Nominal
1.3
1.8
1.0
5.1
5.5
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
P
4
1
2
3
TO-252 / DPAK
SOT-143
Min
Dim
Max
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
S
2.80
3.04
1.20
1.40
0.80
1.20
0.37
0.46
0.76
0.89
1.92 BSC
1.72 BSC
0.085
0.130
0.051
0.127
0.25
0.55
1.00
1.69
2.10
2.64
All Dimensions in mm
E
K
L
J
B
S
D
C
TOP VIEW
A
M
G
H
SOT-343 / SOT-143
D
E
C
B
J
R
TO-220AC-P
H
R
TO-3P
TO-3P-P
P.30
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT8099 | RP12 (AW) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 48V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; 4:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Regulated Output Power; 1.6kVDC Isolation; Over Current and Over Voltage Protection; Five-Sided Shield; No Derating to 61??C; Standard DIP24 Pinning; Efficiency to 88% |
| MMBTA94 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| MMBT5088 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| MMBT5089 | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| MMBTH10 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT8099LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT8099LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT8099LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。