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參數資料
| 型號： | MMBT5089 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Inductor RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | npn型（低噪聲晶體管） |
| 文件頁數： | 9/15頁 |
| 文件大小： | 500K |
| 代理商： | MMBT5089 |
C
A
B
MiniMELF / MELF
A B
C
D
E
G
H
J
SOD-123
SOD-323
Dim
Min
Max
Min
Max
A
B
C
D
E
G
H
J
3.55
3.85
2.30
2.70
2.55
2.85
1.60
1.80
1.40
1.70
1.15
1.35
1.35
0.80
1.10
0.55 Typical
0.25
0.40
0.25
0.15
0.45
0.15 Typical
0.10
0.25
0.10
0.10
SOT-23
SC-59 SOT-323 / SOT-523
Dim
Min
Max
Min
Max
Min
Max
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
0.37 0.51
0.30
0.50
0.30 / 0.15 0.40 / 0.22
1.19
1.40
1.40
1.80
1.15 / 0.75 1.35 / 0.85
2.10
2.50
2.50
3.00
2.00 / 1.45 2.20 / 1.75
0.89
1.05
0.85
1.05 0.65 / 0.5
0.45
0.61
0.30
0.70
0.30 / - 0.40 / -
1.78
2.05
1.70
2.10
1.20 / 0.9 1.40 / 1.1
2.65
3.05
2.70
1.00
3.10
1.80 / 1.5 2.20 / 1.7
0.013
0.15
0.10 -
0.10
0.89
1.10
1.40
0.90 / 0.6 1.00 / 0.8
0.45
0.61
0.55
0.70
0.25 / 0.1 0.40 / 0.3
0.076
0.178
0.10
0.35
0.10 / 0.1 0.25 / 0.2
A
E
J
L
M
B
C
H
G
D
K
TOP VIEW
SOT-23 / SC-59 / SOT-323 / SOT-523
Other Package Outline Dimensions
MiniMELF
MELF
Dim
A
B
C
Min
Max
Min
Max
3.30
3.70
4.80
5.20
1.30
1.60
2.40
2.60
0.28
0.50
0.55 Nominal
All Dimensions in mm
QuadroMELF
Min
MicroMELF
Dim
Max
Min
Max
A
B
C
D
3.3
3.7
1.8
2.0
1.4
1.6
1.20
1.25
1.7
Typical
0.3 Typical
1.35
Typical
A
D
C
B
SOD-523
Min
Dim
Max
A
B
C
D
E
G
1.50
1.70
1.10
1.30
0.25
0.35
0.70
0.90
0.10
0.20
0.50
0.70
All Dimensions in mm
P.28
QuadroMELF / MicroMELF
SOD-123 / SOD-323 / SOD-523 / SOD-723
SYMBOLS
MIN
2.20
1.100
0.650
0.500
0.400
0.400
6.700
5.400
6.40
2.100
0.400
7.000
1.300
0.700
1.400
MIN
0.087
0.043
0.026
0.020
0.016
0.016
0.264
0.213
0.252
0.083
0.016
0.276
0.051
0.028
0.055
5.650
6.650
2.500
0.600
MAX
2.40
1.300
1.050
0.900
MAX
0.095
0.051
0.041
0.035
0..32
0.024
0.287
0.222
0.262
0.098
0.024
0.800
0.600
7.300
8.000
1.700
0.900
MILLIMETERS
INCHES
A
A1
B1
b
b1
C
D
D1
E
e
F
L
L1
L2
L3
0.315
0.067
0.035
E
E1
L1
D
D1
A
b
b1
e
e
B1
L2
L3
L
C
A1
F
1.800
0.071
TO-251
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參數描述 |
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| MMBT5089LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MMBT5179_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5210 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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