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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5401-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | MMBT5401-7 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
150
200
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
20
1.0
5.0
F
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
70
50
20
30
50
100
VCE = –1.0 V
VCE = –5.0 V
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.9
0.1
0.5
2.0
10
0.2
1.0
5.0
20
50
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
Figure 3. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
,
I
μ
103
0.1
0.3
0.2
102
101
100
10–1
10–2
10–3
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
IC = 1.0 mA
10 mA
30 mA
100 mA
VCE = 30 V
IC = ICES
TJ = 125
°
C
75
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MMBT5401LT3 | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| MMBT5401LT3G | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5401-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MMBT5401LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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