- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄371123 > MMBT5401LT1G (ON SEMICONDUCTOR) High Voltage Transistor(PNP Silicon) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT5401LT1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | MMBT5401LT1G |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
(IC = –10 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
(IC = –50 mAdc, VCE = –5.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
(IC = –50 mAdc, IB = –5.0 mAdc)
hFE
50
60
50
—
240
—
—
VCE(sat)
—
—
–0.2
–0.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
(IC = –50 mAdc, IB = –5.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
—
–1.0
–1.0
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = –10 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
300
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Small Signal Current Gain
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe
40
200
—
Noise Figure
(IC = –200
μ
Adc, VCE = –5.0 Vdc, RS = 10
,
f = 1.0 kHz)
NF
—
8.0
dB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5401LT1 | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| MMBT5401 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT5401 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON |
| MMBT5550LT1 | High Voltage Transistors |
| MMBT5550 | High Voltage FET-Input Operational Amplifier 8-SO PowerPAD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5401LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5401LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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