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參數資料
| 型號： | MMBT5401LT1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | MMBT5401LT1G |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 4. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.7
1.0
0.9
0.2
Figure 5. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0
TJ = 25
°
C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
2.5
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
C
100
70
TJ = 25
°
C
Cibo
Figure 6. Switching Time Test Circuit
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.8
0.5
0.3
0.1
VBE(sat) @ IC/IB = 10
0.3
3.0
30
V
θ
°
Figure 7. Capacitances
10.2 V
Vin
10
μ
s
INPUT PULSE
VBB
+8.8 V
100
RB
5.1 k
100
0.25
μ
F
Vin
1N914
Vout
RC
VCC
–30 V
3.0 k
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
Values Shown are for IC @ 10 mA
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.3
3.0
30
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
TJ = –55
°
C to 135
°
C
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE(sat)
Cobo
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
0.7
7.0
t
1000
700
100
70
200
300
500
10
20
30
50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
30
50
100
200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Turn–On Time
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
td @ VBE(off) = 1.0 V
VCC = 120 V
tr @ VCC = 30 V
tr @ VCC = 120 V
t
2000
100
70
200
300
500
700
20
30
50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0.3
3.0
30
50
100
200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Turn–Off Time
1000
tf @ VCC = 120 V
tf @ VCC = 30 V
ts @ VCC = 120 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5401LT1 | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
| MMBT5401 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMBT5401 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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