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參數資料
| 型號： | MMBTA20LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Amplifier (NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用放大器（NPN硅） |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | MMBTA20LT1 |
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
hFE
40
400
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VCE(sat)
—
0.25
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
125
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
4.0
pF
Figure 1. Turn–On Time
Figure 2. Turn–Off Time
EQUIVALENT SWITCHING TIME TEST CIRCUITS
*Total shunt capacitance of test jig and connectors
10 k
+3.0 V
275
CS < 4.0 pF*
10 k
+3.0 V
275
CS < 4.0 pF*
1N916
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
–0.5 V
<1.0 ns
10 < t1 < 500
μ
s
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
0
–9.1 V
<1.0 ns
t1
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