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參數資料
| 型號： | MMBTA20LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Amplifier (NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用放大器（NPN硅） |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | MMBTA20LT1 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.004
h
F
TJ = 125
°
C
–55
°
C
25
°
C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
Figure 9. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 10. Collector Characteristics
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
*VC for VCE(sat)
VB for VBE
0.1
0.2
0.5
MPS390
4
Figure 11. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
0.002
V
MPS3904
TJ = 25
°
C
IC = 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 12. Temperature Coefficients
50 mA
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
0
I
TA = 25
°
C
PULSE WIDTH = 300
μ
s
DUTY CYCLE
≤
2.0%
IB = 500
μ
A
400
μ
A
300
μ
A
200
μ
A
100
μ
A
*APPLIES for IC/IB
≤
hFE/2
25
°
C to 125
°
C
–55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 125
°
C
–55
°
C to 25
°
C
40
60
0.006 0.01
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–2.4
0.8
0
–1.6
–0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V
θ
°
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PDF描述 |
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