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參數資料
| 型號： | Q62702-P296 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外Lumineszenzdioden砷化鎵紅外輻射器 |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P296 |
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P30 | NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays |
| Q62702-P3001 | 1300 nm Laser in Receptacle Package, Medium Power |
| Q62702-P3002 | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| Q62702-P3004 | 1300 nm Laser in Receptacle Package, Low Power |
| Q62702-P3009 | IRED in TO-Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702P3558 | 制造商:OSRAM 功能描述:LASER DIODE QW-LD 860NM 3PIN - Bulk |
| Q62702P3577 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 3PIN TO-18 - Bulk |
| Q62702P3578 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
| Q62702P3581 | 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| Q62702P3582 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
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