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參數(shù)資料
| 型號： | Q62702-P296 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外Lumineszenzdioden砷化鎵紅外輻射器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P296 |
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P30 | NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays |
| Q62702-P3001 | 1300 nm Laser in Receptacle Package, Medium Power |
| Q62702-P3002 | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| Q62702-P3004 | 1300 nm Laser in Receptacle Package, Low Power |
| Q62702-P3009 | IRED in TO-Package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702P3558 | 制造商:OSRAM 功能描述:LASER DIODE QW-LD 860NM 3PIN - Bulk |
| Q62702P3577 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 3PIN TO-18 - Bulk |
| Q62702P3578 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
| Q62702P3581 | 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| Q62702P3582 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
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