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參數資料
| 型號： | Q62702-P296 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外Lumineszenzdioden砷化鎵紅外輻射器 |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P296 |
BGC420
High Frequency Products
3
Edition A13, 05/99
Power Gain
versus Frequency
Vcc=3V, Icc=5mA
Gma
Gms
￥
S21
￥
2
dB
f
GHz
Icc
mA
Gma
Gms
dB
Power Gain
versus Device Current
Vcc=3V
￥
S21
￥
2
S21
2
versus Frequency and Temperature
Vcc=3V, Icc=7mA
f
GHz
dB
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0.2 0.6 1 1.4 1.8 2.2 2.6 3
Gms
Gma
IS21I
2
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
f=1 GHz
2 GHz
3 GHz
4 GHz
5 GHz
6 GHz
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P30 | NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays |
| Q62702-P3001 | 1300 nm Laser in Receptacle Package, Medium Power |
| Q62702-P3002 | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| Q62702-P3004 | 1300 nm Laser in Receptacle Package, Low Power |
| Q62702-P3009 | IRED in TO-Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q62702P3558 | 制造商:OSRAM 功能描述:LASER DIODE QW-LD 860NM 3PIN - Bulk |
| Q62702P3577 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 3PIN TO-18 - Bulk |
| Q62702P3578 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
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| Q62702P3582 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
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