久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > E字母型號搜索 > E字母第1678頁 >

EPC2034ENGR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

EPC2034ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039

EPC2034ENGR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

EPC2034ENGR PDF下載

功能描述
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
托盤
零件狀態(tài)
無貨
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
31A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
10 毫歐 @ 20A，5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
8.5nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
940pF @ 100V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應(yīng)商器件封裝
模具
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10

EPC2034ENGR 技術(shù)參數(shù)

EPC2034 功能描述:TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET (Gallium Nitride) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2033ENGRT 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2033ENGR 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2033 功能描述:TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta）不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1140pF @ 75V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2032ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 11mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103